Trong công nghiệp cũng như trong đời sống, các linh kiện bán dẫn có mặt khắp nơi ,vì vậy việc nghiên cứu về bán dẫn và các linh kiện bán dẫn là rất cần thiết.
Bài học hôm nay giúp ta có những kiến thức cơ bản về loại chất này. Mời các em cùng tìm hiểu nội dung Bài 17: Dòng điện trong chất bán dẫn.
Qua đó, các em sẽ có thêm những kiến thức nhất định về hai loại linh kiện bán dẫn quen thuộc là điôt và tran-zi-to có trong các vi mạch điện tử mà ta thường gặp trong đời sống. Chúc các em học tốt !
Chất bán dẫn là vật liệu trung gian giữa chất cách điện và chất dẫn điện. Chất bán dẫn hoạt động như chất cách điện ở nhiệt độ thấp và hoạt động như một chất dẫn điện ở nhiệt độ cao.
Nhóm vật liệu bán dẫn tiêu biểu là gecmani và silic.
Ở nhiệt độ thấp, điện trở suất của chất bán dẫn siêu tinh khiết rất lớn. Khi nhiệt độ tăng, điện trở suất giảm nhanh, hệ số nhiệt điện trở có giá trị âm.
Điện trở suất của chất bán dẫn giảm rất mạnh khi pha một ít tạp chất.
Điện trở của bán dẫn giảm đáng kể khi bị chiếu sáng hoặc bị tác dụng của các tác nhân ion hóa khác
Điện trở suất của kim loại và bán dẫn tinh khiết phụ thuộc khác nhau vào nhiệt độ.
Bán dẫn có hạt tải điện âm gọi là bán dẫn loại n.
Bán dẫn có hạt tải điện dương gọi là bán dẫn loại p.
Chất bán dẫn có hai loại hạt tải điện là electron và lỗ trống.
Dòng điện trong bán dẫn là dòng các electron dẫn chuyển động ngược chiều điện trường và dòng các lỗ trống chuyển động cùng chiều điện trường
Khi pha tạp chất là những nguyên tố có năm electron hóa trị vào trong tinh thể silic thì mỗi nguyên tử tạp chất này cho tinh thể một electron dẫn. Ta gọi chúng là tạp chất cho hay đôno. Bán dẫn có pha đôno là bán dẫn loại n, hạt tải điện chủ yếu là electron.
Khi pha tạp chất là những nguyên tố có ba electron hóa trị vào trong tinh thể silic thì mỗi nguyên tử tạp chất này nhận một electron liên kết và sinh ra một lỗ trống, nên được gọi là tạp chất nhận hay axepto. Bán dẫn có pha axepto là bán dẫn loại p, hạt tải điện chủ yếu là các lỗ trống
Lớp chuyển tiếp p-n là chổ tiếp xúc của miền mang tính dẫn p và miền mang tính dẫn n được tạo ra trên 1 tinh thể bán dẫn
Miền bán dẫn loại P hạt tải điện chủ yếu là lỗ trống.
Miền bán dẫn loại N hạt tải điện chủ yếu là electron tự do.
⟹ Tại lớp chuyển tiếp P-N electron tự do và lỗ trống trà trộn vào nhau
Khi electron gặp lỗ trống (nơi liên kết thiếu electron), nó sẽ nối lại liên kết và một cặp electron–lỗ trống bị biến mất.
Ở lớp chuyển tiếp P-N, sẽ hình thành một lớp không có hạt tải điện được gọi là lớp nghèo.
Ở lớp chuyển tiếp P-N (lớp nghèo), về phía bán dẫn N có các ion đôno tích điện dương, về phía bán dẫn P có các ion axepto tích điện âm.
Điện trở của lớp nghèo rất lớn.
Nếu đặt một điện trường có chiều hướng từ bán dẫn P sang bán dẫn N thì:
Lỗ trống trong bán dẫn P sẽ chạy theo cùng chiều điện trường vào lớp nghèo.
Electron trong bán dẫn N sẽ chạy ngược chiều điện trường vào lớp nghèo.
Lúc này lớp nghèo có hạt tải điện và trở nên dẫn điện. Vì vậy, sẽ có dòng điện chạy qua lớp nghèo từ miền bán dẫn P sang miền bán dẫn N.
Quy ước:
Chiều dòng điện qua lớp nghèo từ P sang N: chiều thuận.
Chiều dòng điện không qua lớp nghèo từ N sang P: chiều ngược.
Khi dòng điện đi qua lớp chuyển tiếp P-N theo chiều thuận, các hạt tải điện đi vào lớp nghèo có thể đi tiếp sang miền đối diện. Ta nói có hiện tượng phun hạt tải điện từ miền này sang miền khác.
Tuy nhiên, chúng không thể đi xa quá khoảng 0,1mm, vì cả hai miền P và N lúc này đều có electron và lỗ trống nên chúng dễ gặp nhau và biến mất từng cặp
Cấu tạo Điôt bán dẫn: Khi đã có được hai chất bán dẫn loại P và loại N, nếu ghép hai chất bán dẫn theo một tiếp giáp P-N ta được một điôt bán dẫn.
Tại bề mặt tiếp xúc, các điện tử dư thừa trong bán dẫn N khuếch tán sang vùng bán dẫn P để lấp vào các lỗ trống tạo thành lớp ion trung hòa điện, lớp này là miền cách điện.
Chiều dòng điện đi qua Điôt và kí hiệu Điôt:
Xét một tinh thể bán dẫn trên đó có tạo ra một miền p, và hai miền n1 và n2. Mật độ electron trong miền n2 rất lớn so với mật độ lỗ trống trong miền p. Trên các miền này có hàn các điện cực C, B, E. Điện thế ở các cực E, B, C giữ ở các giá trị VE = 0, VB vừa đủ để lớp chuyển tiếp p-n2 phân cực thuận, VC có giá trị tương đối lớn (cở 10V).
Giả sử miền p rất dày, n1 cách xa n2
Lớp chuyển tiếp n1-p phân cực ngược, điện trở RCB giữa C và B rất lớn.
Lớp chuyển tiếp p-n2 phân cực thuận nhưng vì miền p rất dày nên các electron từ n2 không tới được lớp chuyển tiếp p-n1, do đó không ảnh hưởng tới RCB.
Giả sử miền p rất mỏng, n1 rất gần n2
Đại bộ phận dòng electron từ n2 phun sang p có thể tới lớp chuyển tiếp n1-p, rồi tiếp tục chạy sang n1 đến cực C làm cho điện trở RCB giảm đáng kể.
Hiện tượng dòng điện chạy từ B sang E làm thay đổi điện trở RCB gọi là hiệu ứng tranzito.
Vì đại bộ phận electron từ n2 phun vào p không chạy về B mà chạy tới cực C, nên ta có \({I_B} < < {\rm{ }}{I_E}\) và \({I_C} \approx {I_E}\) . Dòng IB nhỏ sinh ra dòng IC lớn, chứng tỏ có sự khuếch đại dòng điện
Tinh thể bán dẫn được pha tạp để tạo ra một miền p rất mỏng kẹp giữa hai miền n1 và n2 gọi là tranzito lưỡng cực n-p-n.
Tranzito có ba cực:
Cực góp hay là côlectơ (C).
Cực đáy hay cực gốc, hoặc bazơ (B).
Cực phát hay Emitơ (E).
Ứng dụng phổ biến của tranzito là để lắp mạch khuếch đại và khóa điện tử.
Phát biểu nào dưới đây chính xác? Người ta gọi silic là chất bán dẫn vì
A. Nó không phải là kim loại, cũng không phải là điện môi.
B. Hạt tải điện trong đó có thể là electron và lỗ trống.
C. Điện trở suất của nó rất nhạy cảm với nhiệt độ, tạp chất và các tác nhân ion hóa khác.
D. Cả ba lí do trên.
Chọn đáp án D. Cả 3 lí do trên.
Bán dẫn loại n là gì?
A. Bán dẫn pha tạp chất trong đó hạt tải điện chính mang điện tích dương.
B. Bán dẫn pha tạp chất trong đó hạt tải điện chính mang điện tích âm.
C. Bán dẫn pha tạp chất trong đó chứa các ion trung hòa điện.
D. Cả ba ý trên.
Chọn đáp án B
Bán dẫn có hạt tải điện âm gọi là bán dẫn loại n hay bán dẫn pha tạp chất trong đó hạt tải điện chính mang điện tích âm.
Bán dẫn loại P là gì?
A. Bán dẫn pha tạp chất trong đó hạt tải điện chính mang điện tích dương.
B. Bán dẫn pha tạp chất trong đó hạt tải điện chính mang điện tích âm.
C. Bán dẫn pha tạp chất trong đó chứa các ion trung hòa điện.
D. Cả ba ý trên.
Chọn đáp án A
Bán dẫn có hạt tải điện dương gọi là bán dẫn loại p hay bán dẫn pha tạp chất trong đó hạt tải điện chính mang điện tích dương.
Chất bán dẫn có những loại hạt tải điện nào?
A. Electron
B. Lỗ trống.
C. Electron và lỗ trống
D. Electron và ion
Chọn đáp án C
Chất bán dẫn có hai loại hạt tải điện là electron và lỗ trống.
Qua bài giảng Dòng điện trong chất bán dẫn này, các em cần hoàn thành 1 số mục tiêu mà bài đưa ra như :
Trả lời được các câu hỏi: Chất bán dẫn là gì ? Nêu những đặc điểm của chất bán dẫn. Từ đó rút ra bản chất dòng điện trong chất bán dẫn
Cấu tạo và công dụng của Tranzito n-p-n.
Vận dụng các kiến thức để giải thích các hiện tượng liên quan
Các em có thể hệ thống lại nội dung kiến thức đã học được thông qua bài kiểm tra Trắc nghiệm Vật lý 11 Bài 17 cực hay có đáp án và lời giải chi tiết.
Phát biểu nào sau đây về tranzito là chính xác?
Người ta gọi silic là chất bán dẫn vì
Chất bán dẫn có những loại hạt tải điện nào?
Câu 4-10: Mời các em đăng nhập xem tiếp nội dung và thi thử Online để củng cố kiến thức về bài học này nhé!
Các em có thể xem thêm phần hướng dẫn Giải bài tập Vật lý 11 Bài 17để giúp các em nắm vững bài học và các phương pháp giải bài tập.
Bài tập 1 trang 106 SGK Vật lý 11
Bài tập 2 trang 106 SGK Vật lý 11
Bài tập 3 trang 106 SGK Vật lý 11
Bài tập 4 trang 106 SGK Vật lý 11
Bài tập 5 trang 106 SGK Vật lý 11
Bài tập 6 trang 106 SGK Vật lý 11
Bài tập 1 trang 120 SGK Vật lý 11 nâng cao
Bài tập 2 trang 120 SGK Vật lý 11 nâng cao
Bài tập 3 trang 120 SGK Vật lý 11 nâng cao
Bài tập 17.1 trang 42 SBT Vật lý 11
Bài tập 17.2 trang 42 SBT Vật lý 11
Bài tập 17.3 trang 42 SBT Vật lý 11
Bài tập 17.4 trang 42 SBT Vật lý 11
Bài tập 17.5 trang 43 SBT Vật lý 11
Bài tập 17.6 trang 43 SBT Vật lý 11
Bài tập 17.7 trang 43 SBT Vật lý 11
Bài tập 17.8 trang 43 SBT Vật lý 11
Bài tập 17.9 trang 44 SBT Vật lý 11
Bài tập 17.10* trang 44 SBT Vật lý 11
Trong quá trình học tập nếu có thắc mắc hay cần trợ giúp gì thì các em hãy comment ở mục Hỏi đáp, Cộng đồng Vật lý DapAnHay sẽ hỗ trợ cho các em một cách nhanh chóng!
Chúc các em học tập tốt và luôn đạt thành tích cao trong học tập!
-- Mod Vật Lý 11 DapAnHay
Phát biểu nào sau đây về tranzito là chính xác?
Người ta gọi silic là chất bán dẫn vì
Chất bán dẫn có những loại hạt tải điện nào?
Bán dẫn loại P là gì?
Bán dẫn loại n là gì?
Ở nhiệt độ phòng, trong bán dẫn Si tinh khiết có số cặp điện tử – lỗ trống bằng 10-13 lần số nguyên tử Si. Số hạt mang điện có trong 2 mol nguyên tử Si là:
Phát biểu nào sau đây về đặc điểm của chất bán dẫn là không đúng?
Bản chất của dòng điện trong chất bán dẫn là:
Chọn câu đúng?
Phát biểu nào sau đây là không đúng?
Tính chất điện của bán dẫn và kim loại khác nhau như thế nào?
Mô tả cách sinh ra electron và lỗ trống trong bán dẫn tinh khiết, bán dẫn n và p.
Dòng điện chỉ chạy qua lớp chuyển tiếp p-n theo chiều nào?
Khi nào thì một lớp bán dẫn p kẹp giữa hai lớp bán dẫn n trên một tinh thể được xem là một tranzito n-p-n?
Phát biểu nào dưới đây là chính xác?
Người ta gọi silic là chất bán dẫn vì
A. Nó không phải là kim loại, cũng không phải là điện môi
B. Hạt tải điện trong đó có thể là êlectron và lỗ trống
C. Điện trở suất của nó rất nhạy cảm với nhiệt độ, tạp chất, và các tác nhân ion hoá khác.
D. Cả ba lí do trên
Phát biểu nào sau đây về tranzito là chính xác?
A. Một lớp bán dẫn loại p kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại n là tranzito n-p-n
B. Một lớp bán dẫn loại n mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại p không thể xem là tranzito
C. Một lớp bán dẫn loại p mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại n luôn có khả năng khuếch đại
D. Trong tranzito n-p-n, bao giờ mật độ hạt tải điện miền êmitơ cũng cao hơn miền bazơ.
Tìm câu đúng.
A. Trong bán dẫn mật độ êlectron luôn luôn bằng mật độ lỗ trống.
B. Nhiệt độ càng cao, bán dẫn dẫn điện càng tốt.
C. Bán dẫn loại p tích điện dương, vì mật độ lỗ trống lớn hơn mật độ êlectron.
D. Bán dẫn có điện trở suất cao hơn kim loại, vì trong bán dẫn có hai loại hạt tải điện trái dấu, còn trong kim loại chỉ có một loại.
Chọn câu đúng.
A. Điện trở của lớp chuyển tiếp p-n là nhỏ, khi lớp chuyển tiếp được mắc vào nguồn điện theo chiều ngựơc.
B. Nhiệt độ càng cao, tính chỉnh lưu của lớp chuyển tiếp p-n càng kém.
C. Khi lớp chuyển tiếp p-n được hình thành thì luôn có dòng điện chạy theo chiều từ bán dẫn loại p sang bán dẫn loại n, do sự khuếch tán của các hạt tải điện cơ bản mạnh hơn so với sự khuếch tán của các hạt tải không cơ bán.
D. Khi lớp chuyển tiếp p-n được hình thành thì luôn có dòng điện từ bán dẫn loại n sang bán dẫn loại p, do điện trường trong ở lớp tiếp xúc thúc đẩy chuyến động của các hạt tải điện thiểu số.
Ở nhiệt độ phòng, trong bán dẫn Si tinh khiết, số cặp êlectron - lỗ trống bằng 10-13 số nguyên tử Si. Nếu ta pha P vào Si với tỉ lệ một phần triệu, thì sổ hạt tải điện tăng lên bao nhiêu lần?
Câu nào dưới đây nói vé tính chất của các chất bán dẫn là không đúng ?
A. Điện trở suất của bán dẫn siêu tinh khiết ở nhiệt độ thấp có giá trị rất lớn.
B. Điện trở suất của bán dãn tăng nhanh khi nhiệt độ tăng, nên hệ số nhiệt điện trở của bán dẫn có giá trị dương.
C. Điện trở suất của bán dẫn giảm nhanh khi đưa thêm một lượng nhỏ tạp chất (10-6% - 10-3 % ) vào trong bán dẫn.
D. Điện trở suất của bán dẫn giảm nhanh khi nhiệt độ tăng, nên hệ số nhiệt điện trở của bán dẫn có giá trị âm.
Câu nào dưới đây nói về các loại chất bán dẫn là không đúng ?
A. Bán dẫn tinh khiết là loại chất bán dẫn chỉ chứa các nguyên tử của cùng một nguyên tố hoá học và có mật độ êlectron dẫn bằng mật độ lỗ trống.
B. Bán dẫn tạp chất là loại chất bán dẫn có mật độ nguyên tử tạp chất lớn hơn rất nhiều mật độ các hạt tải điện.
C. Bán dẫn loại n là loại chất bán dẫn có mật độ các êlectron dẫn lớn hơn rất nhiều mật độ lỗ trống.
D. Bán dẫn loại p là loại chất bán dẫn có mật độ lỗ trống lớn hơn rất nhiều mật độ êlectron dẫn.
Câu nào dưới đây nói về các hạt tải điện trong chất bán dẫn là đúng ?
A. Các hạt tải điện trong chất bán dẫn loại n chỉ là các êlectron dẫn.
B. Các hạt tải điện trong chất bán dẫn loại p chỉ là các lỗ trống.
C. Các hạt tải điện trong chất bán dần luôn bao gồm cả êlectron dẫn và lỗ trống.
D. Cả hai loại hạt tải điện gồm êlectron dẫn và lỗ trống đều mang điện âm.
Câu nào dưới đây nói về tạp đôno và tạp axepto trong bán dẫn là không đúng ?
A. Tạp đôno là nguyên tử tạp chất làm tăng mật độ êlectron dẫn.
B. Tạp axepto là nguyên tử tạp chất làm tăng mật độ lỗ trống.
C. Trong bán dẫn loại n, mật độ êlectron dẫn tỉ lệ với mật độ tạp axepto. Trong bán dẫn loại p, mật độ lỗ trống dẫn tỉ lệ với mật độ tạp đôno.
D. Trong bán dẫn loại n, mật độ êlectron dẫn tỉ lệ với mật độ tạp đôno. Trong bán dẫn loại p, mật độ lỗ trống dẫn tỉ lệ với mật độ tạp axepto.
Câu nào dưới đây nói về lớp chuyển tiếp p-n là không đúng ?
A. Lớp chuyển tiếp p-n là chỗ tiếp xúc của miền mang tính dẫn p và miền mang tính dẫn n được tạo ra trên một tinh thể bán dẫn.
B. Tại lớp chuyển tiếp p-n, do quá trình khuếch tán và tái hợp của các êlectron và lỗ trống nên hình thành một lớp nghèo hạt tải điện và có điện trở rất lớn.
C. Ở hai bên lớp nghèo, về phía bán dẫn n có các ion axepto tích điện dương, về phía bán dẫn p có các ion đôno tích điện âm.
D. Lớp chuyển tiếp p-n có tính chất chỉ cho dòng điện chạy qua nó theo một chiều nhất định từ miền p sang miền n nên được sử dụng làm điôt bán dẫn.
Hình nào trong Hình 17.1 mô tả đúng mô hình cấu trúc và sự hình thành điện trường \(\overrightarrow {{E_t}} \) trong lớp chuyển tiếp p-n do quá trình khuếch tán và tái hợp của các loại hạt tải điện ? Mũi tên dài chỉ chiều khuếch tán của êlectron. Mũi tên ngắn chỉ chiều điện trường \(\overrightarrow {{E_t}} \)
Câu nào dưới đây nói về điôt bán dẫn là không đúng ?
A. Điôt bán dẫn là linh kiện bán dẫn được tạo bởi một lớp chuyển tiếp p-n.
B. Điôt bán dẫn chỉ cho dòng điện chạy qua nó theo chiều thuận từ n sang p.
C. Điôt bán dẫn chỉ cho dòng điện chạy qua nó khi miền p được nối với cực dương và miền n được nối với cực âm của nguồn điện ngoài.
D. Điôt bán dẫn có tinh chất chính lưu dòng điện nên được dùng để biến dòng điện xoay chiều thành dòng điện một chiều.
Hình nào trong Hình 17.2 mô tả đúng sơ đồ mắc điôt bán dẫn với nguồn điện ngoài U khi dòng điện I chạy qua nó theo chiều thuận ?
Câu nào dưới đây nói về tranzito lưỡng cực là không đúng ?
A. Tranzito lưỡng cực có hai loại khác nhau : loại n-p-n và loại p-n-p.
B. Tranzito lưỡng cực n-p-n là một tinh thể bán dẫn được pha tạp đế tạo ra một miền p rất mỏng kẹp giữa hai miền n1 và n2, hình thành hai lớp chuyển tiếp : lớp n1-p phân cực thuận và lớp p-n2 phân cực ngược.
C. Mỗi tranzito lưỡng cực có ba điện cực C-B-E : cực góp hay colectơ C, cực đáy hay cực bazơ B, cực phát hay êmitơ E.
D. Tranzito lưỡng cực là linh kiện bán dẫn có thể khuếch đại các tín hiệu điện nên được dùng phổ biến để lắp các mạch khuếch đại và khoá điện tử.
Trong Hình 17.3, hình nào mô tả đúng mô hình cấu trúc và kí hiệu của tranzito lưỡng cực n-p-n ? Mũi tên chỉ chiều dòng điện giữa cực bazơ và cực êmitơ (dòng bazơ).
Họ và tên
Tiêu đề câu hỏi
Nội dung câu hỏi
Câu trả lời của bạn
AB = 2 cm; A’B’ = 8 cm; d = 16 cm
Ta có: \(k = – \frac{{d’}}{d} = \frac{{A’B’}}{{AB}} = \frac{8}{2} = 4 \to d’ = – 4d = – 4.16 = – 64cm\) < 0 → ảnh ảo, cách thấu kính 64 cm
Biết \({I_1} = 5A,{I_2} = 10A,{I_3} = 4A,a = 10cm,b = 5cm,AB = 10cm,BC = 20cm\). Xác định lực từ do từ trường của hai dòng điện chạy trong hai dây dẫn thẳng tác dụng lên cạnh BC của khung dây.
Câu trả lời của bạn
Dòng I1 gây ra tại các điểm trên cạnh BC của khung dây véc tơ cảm ứng từ có phương vuông góc với mặt phẳng hình vẽ, có chiều hướng từ ngoài vào và có độ lớn: \({B_1} = {2.10^{ – 7}}\frac{{{I_1}}}{{a + AB}}\); từ trường của dòng I1 tác dụng lên cạnh BC lực từ \(\overrightarrow {{F_1}} \) đặt tại trung điểm của cạnh BC, có phương nằm trong mặt phẵng hình vẽ, vuông góc với BC và hướng từ A đến B, có độ lớn:
\({F_1} = {B_1}{I_3}.BC.\sin {90^0} = {2.10^{ – 7}}\frac{{{I_1}.{I_3}.BC}}{{a + AB}} = {2.10^{ – 7}}\frac{{5.4.0,2}}{{0,1 + 0,1}} = {4.10^{ – 6}}{\mkern 1mu} N\)
Lập luận tương tự ta thấy từ trường của dòng I2 tác dụng lên cạnh BC lực từ \(\overrightarrow {{F_2}} \)có cùng điểm đặt, cùng phương, cùng chiều với \(\overrightarrow {{F_1}} \) và có độ lớn:
\(\begin{array}{*{20}{l}}
{{F_2} = {{2.10}^{ – 7}}\frac{{{I_2}.{I_3}.BC}}{b}}\\
{ = {{2.10}^{ – 7}}\frac{{10.4.0,2}}{{0,05}} = 3,{{2.10}^{ – 5}}N.}
\end{array}\)
Lực từ tổng hợp do từ trường của hai dòng I1 và I2 tác dụng lên cạnh BC của khung dây là F = \(\overrightarrow {{F_1}} \) + \(\overrightarrow {{F_2}} \) cùng phương cùng chiều với \(\overrightarrow {{F_1}} \) và \(\overrightarrow {{F_2}} \) và có độ lớn: \(F = {F_1} + {F_2} = {4.10^{ – 6}} + 3,{2.10^{ – 5}} = 3,{6.10^{ – 5}}N\)
Câu trả lời của bạn
Ta có:
+ Hệ số tự cảm: \(L = 4\pi {.10^{ – 7}}{n^2}V\mu \)
+ Năng lượng từ trường của ống dây khi đó: \({\rm{W}} = \frac{1}{2}L{i^2} = \frac{1}{2}(4\pi {.10^{ – 7}}{n^2}V\mu ){i^2}\)
+ Cảm ứng từ \(B = 4\pi {.10^{ – 7}}ni\mu \to {\rm{W}} = \frac{{{B^2}}}{{8\pi {{.10}^{ – 7}}\mu }}V\)
+ Mật độ năng lượng từ trường trong ống dây: \({\rm{w}} = \frac{{\rm{W}}}{V} = \frac{{{B^2}}}{{8\pi {{.10}^{ – 7}}\mu }} = \frac{{0,{{05}^2}}}{{8\pi {{.10}^{ – 7}}{{.10}^4}}} = 0,0995(J/{m^3})\)
Câu trả lời của bạn
Ta có:
+ Tiêu cự của thấu kính: \(f = \frac{1}{D} = \frac{1}{2} = 0,5m = 50cm\)
+ \(\frac{1}{f} = \frac{1}{d} + \frac{1}{{d’}} \to d’ = \frac{{df}}{{d – f}} = \frac{{25.50}}{{25 – 50}} = – 50cm\)
+ Khoảng cách vật ảnh: \(L = \left| {d + d’} \right| = \left| {25 – 50} \right| = 25cm\)
Câu trả lời của bạn
Ta có, điện trở của khối kim loại: \(R = \rho \dfrac{l}{S}\)
Lại có tiết diện \(S = \pi {r^2} = \pi \dfrac{{{d^2}}}{4}\)
\( \Rightarrow \) Khi tăng đường kính \(\left( d \right)\) của khối kim loại lên 2 lần thì tiết diện S tăng 4 lần
\( \Rightarrow \) Điện trở R giảm 4 lần
Câu trả lời của bạn
Ta có, khối lượng chất giải phóng ở điện cực: \(m = \dfrac{1}{F}\dfrac{A}{n}It\)
\( \Rightarrow \) Nếu tăng cường độ dòng điện \(\left( I \right)\) và thời gian điện phân \(t\) lên 2 lần thì khối lượng chất giải phóng ra ở điện cực tăng 4 lần
a) Nêu cấu tạo mạch ngoài khi con chạy C ở một vị trí giữa M và N.
b) Xác định vị trí của C để am pe kế A2 chỉ 0,3A?
Câu trả lời của bạn
a) Cấu tạo mạch ngoài:
\(\left[ {{R_{CN}}nt({R_{MC}}//{R_1}//{R_2})} \right]\)
b) Gọi điện trở phần MC là x, phần CN = 6 -x
Ta có:
\({R_N} = {R_{CN}} + \frac{{{R_1}{R_2}{R_{MC}}}}{{{R_1}{R_2} + {R_1}{R_{MC}} + {R_2}{R_{MC}}}} = \frac{{12x - 2{x^2} + 18}}{{2x + 3}}\,\,\,\,(1)\)
Suất điện động và điện trở trong của bộ nguồn là:
\(\left\{ \begin{array}{l}
{E_b} = 2E = 2.1,5 = 3V\\
{r_b} = 2r = 2.0,5 = 1\Omega
\end{array} \right.\)
Ta lại có:
\(I = \frac{{{E_b}}}{{{R_N} + {r_b}}} \Leftrightarrow {E_b} = I({R_N} + {r_b})\,\,\,\,\left( 2 \right)\)
Hiệu điện thế mạch ngoài:
\({U_N} = {E_b} - I{r_b} = 3 - I\)
Ta có:
\({U_{NC}} = I(6 - x)\)
\({U_{BD}} = {U_N} - {U_{NC}} = (3 - I) - I(6 - x) = 3 - 7I + xI \Rightarrow {I_{BD}} = \frac{{{U_{BD}}}}{{{R_2}}} = \frac{{3 - 7I - xI}}{2}\,\,\,\left( 3 \right)\)
Từ giả thiết: \({I_{A2}} = 0,3A;\) tại nút D
\({I_{A2}} = I - {I_{BD}} \Leftrightarrow 0,3 = I - \frac{{3 - 7I + xI}}{2} \Rightarrow I = \frac{{18}}{{5(9 - x)}}\,\,\,\,\left( 4 \right)\)
Thay (4) vào (2) ta được:
\(3 = \frac{{18}}{{5(9 - x)}}\left( {\frac{{12x - 2{x^2} + 18}}{{2x + 3}} + 1} \right) \Leftrightarrow 2{x^2} - 9x + 9 = 0\)
Giải phương trình ta được
\(\left[ \begin{array}{l}
x = 3\Omega \\
x = 1,5\Omega
\end{array} \right.\)
Câu trả lời của bạn
Điện dung của tụ là 20μF
Câu trả lời của bạn
Điều kiện để có dòng điện là phải có một hiệu điện thế đặt vào hai đầu vật dẫn điện.
Câu trả lời của bạn
Áp dụng công thức Faraday về điện phân:
\(m = \frac{{A.I.t}}{{F.n}} \Rightarrow I = \frac{{m.F.n}}{{A.t}} = \frac{{1,143.96500.2}}{{64.30.60}} = 1,91A\)
với F = 96500 gọi là hằng số Faraday.
Câu trả lời của bạn
Đồng hồ đo điện đa năng hiện số ở chế độ DCV để đo hiệu điện thế một chiều.
Câu trả lời của bạn
Công suất của nguồn điện bằng P = ξ.I.
a) Hiệu điện thế UAB, UCA.
b) Công của lực điện, khi di chuyển e (electron) từ A đến B.
Câu trả lời của bạn
a) Ta có:
\(\left\{ {\begin{array}{*{20}{l}}
{{U_{AB}} = E.d = E.AC = 5000.0,04 = 200V}\\
{{U_{AC}} = E.d = E.AC = 5000.0,04 = 200V}
\end{array}} \right.\)
b) Công của lực điện:
\(A = q.E.d = 1,{6.10^{ - 19}}.5000.0,04 = 3,{2.10^{ - 17}}J\)
Đáp án:
a) UAB = UCA = 200V;
b) A = 3,2. 10-17J
Câu trả lời của bạn
Sơ đồ mạch ngoài: R1 nt (R2 //R3).
Áp dụng công thức định luật Ôm cho toàn mạch:
\(I = \frac{E}{{r + {R_N}}} = \frac{6}{{1 + 0,8 + \frac{{2.3}}{{2 + 3}}}} = 2A\)
Hiệu điện thế hai cực của nguồn điện:
\({U_{ng}} = E--I.r = 6--1.2 = 4V\)
Hiệu điện thế hai đầu R1là: \({U_1} = I.{R_1} = 2.0,8 = 1,6{\rm{ }}V\)
Hiệu điện thế hai đầu R2 và R3là:
\({U_2} = {U_3} = 4--1,6 = 2,4V\)
Đáp án: Ung = 4V; U1 = 1,6V ; U2 = U3 = 2,4V.
a) Tính nhiệt lượng một bàn là tỏa ra trong 30 phút theo đơn vị Jun ?
b) Một xưởng may sử dụng 10 bàn là như trên trong 30 ngày, trung bình mỗi ngày một bàn là sử dụng 30 phút. Tính tiền điện phải trả khi sử dụng số bàn là trên.
Câu trả lời của bạn
a)
\(Q = U.I.t = 220.5.30.60 = 1980000{\rm{ }}J\)
b) 10 bàn là sử dụng trong 30 ngày, mỗi ngày 30 phút thì đã sử dụng lượng điện năng là:
\(A = 10.Q.30 = 594000000J = 165{\rm{ }}kWh\)
Tính tiền điện :
\(N = 50.1549 + 50.1600 + 65.1858 = 77450 + 80000 + 120770 = 278220\) (đồng)
Đáp số: a) 1980000 J; b) 278220 đồng.
Câu trả lời của bạn
Cường độ dòng điện: \(I = \frac{{\Delta q}}{{\Delta t}} = \frac{{n.\left| {{q_e}} \right|}}{{\Delta t}} = \frac{{6,{{25.10}^{18}}.1,{{6.10}^{ - 19}}}}{2} = 0,5A\)
Câu trả lời của bạn
Suất điện động nhiệt điện:
\(E = {\alpha _T}.\left( {{T_n} - {T_l}} \right) = {65.10^{ - 6}}.\left( {232 - 20} \right) = 13,78{\rm{ }}{.10^{ - 3}}V = 13,78{\rm{ }}mV\)
Câu trả lời của bạn
Áp dụng công thức về định luật bảo toàn và chuyển hóa năng lượng: Độ giảm động năng của electron chính là công của lực điện tác dụng lên electron:
\(\begin{array}{l}
A = qE.d = {{\rm{W}}_{ds}} - {{\rm{W}}_{dt}} \Rightarrow d = \frac{{\Delta {{\rm{W}}_d}}}{{q.E}} = \frac{{\frac{1}{2}.{m_e}.v_0^2}}{{q.E}}\\
\Rightarrow d = \frac{1}{2}.\frac{{9,{{1.10}^{ - 31}}.{{\left( {{{3.10}^5}} \right)}^2}}}{{1,{{6.10}^{ - 19}}.100}} = 25,{59.10^{ - 4}}\,\,\left( m \right) = 2,559\,\,\left( {mm} \right)
\end{array}\)
Câu trả lời của bạn
Áp dụng nguyên lý chồng chất điện trường. Ta có hình vẽ:
Vì \(\overrightarrow {{E_1}} \,\, \uparrow \downarrow \,\,\overrightarrow {{E_2}} \Rightarrow E = \left| {{E_1}--{E_2}} \right|\)
Áp dụng công thức tính cường độ điện trường: \(E = k.\frac{{\left| Q \right|}}{{{r^2}}}\)
Ta có :
\(E = \left| {k.\frac{{\left| {{Q_1}} \right|}}{{r_1^2}} - k.\frac{{\left| {{Q_2}} \right|}}{{r_2^2}}} \right| = \left| {{{9.10}^9}.\left( {\frac{{{{5.10}^{ - 9}}}}{{0,05{}^2}}} \right) - {{9.10}^9}.\left( {\frac{{\left| { - {{5.10}^{ - 9}}} \right|}}{{0,{{15}^2}}}} \right)} \right| = \left| {1,{{8.10}^4} - 0,{{2.10}^4}} \right| = 1,{6.10^4}(V/m)\)
Câu trả lời của bạn
Công suất tiêu thụ ở mạch ngoài là:
\(P = {I^2}.R = \frac{{{E^2}}}{{{{(R + r)}^2}}}.R \Leftrightarrow P = \frac{{{E^2}}}{{{{\left( {\sqrt R + \frac{r}{{\sqrt R }}} \right)}^2}}}\)
Áp dụng bất đẳng thức Cô - si, ta có:
\(\sqrt R + \frac{r}{{\sqrt R }} \ge 2\sqrt r \Rightarrow P \le \frac{{{U^2}}}{{4.r}} = \frac{{{{12}^2}}}{{4.2}} = 18{\rm{W}} \Rightarrow {{\rm{P}}_{\max }} = 18{\rm{W}}\)
0 Bình luận
Để lại bình luận
Địa chỉ email của hạn sẽ không được công bố. Các trường bắt buộc được đánh dấu *